时间：2025/5/7 15:27:01
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UMH9N TN 是一种 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件通常用于开关和功率管理应用中，能够提供高效的电力转换和控制。其小型化的封装设计使其非常适合于空间受限的电路板布局。
这种 MOSFET 的主要特点是低导通电阻和快速开关性能，有助于减少功耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9A
导通电阻：1.8mΩ
总功耗：54W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
UMH9N TN 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下可低至 1.8mΩ，从而显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力，具有较短的开启和关闭延迟时间，适合高频应用。
3. 高雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 小型 DPAK 或类似的封装形式，便于表面贴装技术 (SMT) 生产，并节省 PCB 空间。
5. 支持高电流操作，适用于需要较大负载电流的场景。
6. 广泛的工作温度范围，从 -55℃ 到 +175℃，适应恶劣环境下的运行需求。
该芯片广泛应用于各种电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器或主开关管。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护电路，用作负载开关。
5. LED 照明驱动器中的功率开关。
6. 电信和数据通信设备中的功率调节模块。
UMH9N、IRFZ44N、STP90NF06L
